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CMP110N06L:筑MOS發(fā)展,造行業(yè)典范

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CMP110N06L:筑MOS發(fā)展,造行業(yè)典范

>>CMP110N06L詳情頁面

半導體行業(yè)的發(fā)展始終與人類需求息息相關。在現(xiàn)代電子市場中,高效率、低損耗的電子元器件需求不斷增加,為提高能源利用率和實現(xiàn)綠色發(fā)展大計,半導體行業(yè)勢必會朝著“低壓電、大電流”方向發(fā)展。


“大電流”的概念并不是絕對的,在不同的應用領域,其外延和內(nèi)涵不盡相同。在電源領域,如低壓開關電源、小功率逆變器應用;在小型電機驅(qū)動領域,如新型電動汽車電機驅(qū)動、傳統(tǒng)汽車啟動系統(tǒng)核心部件都是由蓄電池提供低壓大電流;在LED燈控制方面,同樣有出色的表現(xiàn),多路并聯(lián)完成大功率輸出。隨著綠色能源和智能設備的普及,在這些應用電子電路中選擇一款合適的MOSFET器件變得尤為重要。


CMP110N06L MOSFET是廣東場效應半導體有限公司(下文稱Cmos)在此背景下推出的一款具有較高性價比的產(chǎn)品。該產(chǎn)品已在LED燈控,逆變產(chǎn)品,UPS電源,驅(qū)動控制類等方面得到廣泛應用,依靠其卓越的電氣特性,得到廣大消費者的認可。


封裝形式

CMP110N06L MOSFET封裝形式及內(nèi)部拓撲結(jié)構:

Cmos考慮到用戶使用場景的需要,CMP110N06L MOSFET提供TO-220和TO-263兩種不同的封裝形式可供用戶選擇,以便更好匹配用戶的網(wǎng)絡環(huán)境。



卓越的電氣特性


漏源電壓:

漏源極電壓是指DS之間所能施加的最大電壓。CMP110N06L MOSFET工作時漏極和源極之間最大電壓VDS=60V,作為工程師都曉得60V電壓是低壓領域的黃金段位,涉及很多產(chǎn)品,如大部分電機應用,燈控應用,充放電設備等很多產(chǎn)品都可以使用。


漏源電流:

漏源電流是指MOS管工作時的漏極和源極之間可持續(xù)流過的最大電流。CMP110N06LMOSFET,在TC=25℃條件下,DS之間的電流為110A,這使得該型號可滿足絕大多數(shù)大電流應用場景,尤其應用在在感性負載端效果會更好。



閾值電壓:

VGS是MOS管柵/源極的開啟電壓。CMP110N06L的開啟電壓VGS=2.2V,這個電壓相對較低,使該MOS管在應用場景中的驅(qū)動方案變的尤為簡單,使PCB空間占比相對更小,更容易將控制電路集成小型化。



優(yōu)秀的散熱能力

CMP110N06L 采用的TO-220和263封裝形式背部均有較大散熱片,其中,結(jié)殼熱阻值RθJC只有0.96℃/W,使CMP110N06L在較高頻率條件下能夠更好地散熱,有效降低MOS管溫升的同時,保障了其運行的穩(wěn)定性。


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