CMB011N04L-7是一款高性能的N溝道功率場效應管（MOSFET），采用先進的SGT工藝制成，適用于高功率、高效率的開關場景。
CMSC3812是采用Cmos先進溝槽工藝開發的一款雙N溝道低壓增強型場效應管,具有30V漏源電壓（VDS）,常溫條件下20A漏極電流（ID）,具備能瞬間抵抗高達80A的高脈沖電流沖擊性。
CMB180P04G是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽工藝技術和設計，提供非常優秀的RDS（ON），非常適用于先進的高效開關應用，廣泛應用于負載開關、電池保護電路、LED控制、電機控制等。
CMD65P02是采用Cmos先進溝槽工藝開發的一款P溝道低壓增強型場效應管,具有-20V漏源電壓（VDS）和-65A漏極電流（ID）（常溫條件）,具有抵抗高達-260A的脈沖電流的高性能抗沖擊性。
CMP107N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術工藝生產，具有優秀的導通電阻RDS(ON)，是高頻開關和同步整流的理想MOS，也非常適合用于電機驅動控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。
