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優秀的大電流MOS:CMSL025N12

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優秀的大電流MOS:CMSL025N12

>>CMSL025N12詳情頁面

CMSL025N12是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的SGT工藝技術和設計,提供非常優秀的RDS(ON),廣泛應用于負載開關、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅動等。是一款高效、可靠的優秀MOS管。



卓越的電氣特性

CMSL025N12的主要電氣特性包括: 

耐壓能力:CMSL025N12的耐壓(BVDSS)為120V。

電流能力:在Tc=25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)是240A。



雪崩能量:CMSL025N12采用先進的SGT技術,100%雪崩能量測試,單次雪崩能量EAS為3610mJ。

低熱阻:CMSL025N12采用TOLL-8封裝,具有優秀的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為0.31℃/W。



低導通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMSL025N12的導通電阻(RDS(on))最大只有2.6mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,能提高整體電路的能效,在產品應用中更高效。



低開關損耗:低QG、結電容,使其具有優越的開關性能,和低開關損耗。



適用范圍廣泛

CMSL025N12 由于其優異的特性,適用于多種應用電路,包括不限于負載開關、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅動等。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效;低QG、低結電容,使管子有較好的開關特性及低開關損耗。


CMSL025N12優秀的電氣特性,使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMSL025N12中,使其在電路應用中表現出色。


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