室溫超導材料獲突破，國產量子芯片技術商用加速，擋不住中國芯了
室溫超導材料獲突破，國產量子芯片技術商用加速，擋不住中國芯了
來源：柏銘科技
日前華中科技大學常海欣教授團隊成功合成了可以磁懸浮的LK-99晶體，該晶體懸浮的角度比韓國Sukbae Lee等人獲得的樣品磁懸浮角度更大，這是國產室溫超導材料的重大突破。
LK-99晶體材料由韓國人在兩年前提出，這是一種可以實現室溫超導性能的材料，此舉對于推進磁懸浮的商用化具有重要意義，畢竟此前的磁懸浮都需要在超低溫度下實現，其實這種材料對于當下競爭激烈的芯片來說尤為重要。
硅基芯片技術已被認為即將達到極限，臺積電、三星等將硅基芯片工藝推進到3納米發(fā)現難以實現成本較低的良率，臺積電的3納米工藝量產近半年也只有55%的良率，如此情況下導致硅基芯片繼續(xù)推進芯片制造工藝難度越來越大，普遍認為1納米將是硅基芯片的極限。
為此全球都在推進量子芯片、光子芯片等技術，其中量子芯片是中國和美國都已居于領先地位的芯片技術，各有科研機構表示它們的量子計算機已達到可觀的性能，遠超當下的超級計算機，不過量子芯片技術面臨的一大難題就是需要在極低溫度下才能工作，合肥本源量子為了確保量子芯片的運作就研發(fā)了量子冰箱確保量子芯片在極低溫度下工作。
如此就導致了量子芯片即使能生產出來，也需要龐大的設備，這樣的量子計算機顯然很難走入人們的生活，也很難投入工業(yè)生產中，而室溫超導材料則可以解決這一問題，中國的機構合成了性能更強的LK-99晶體無疑將為國產量子芯片的商用加速。
中國在基礎材料研發(fā)方面向來非常重視，這得益于中國龐大的研發(fā)機構，各個學校的產學研推進就為這些材料的研發(fā)提供了巨大的可能性，畢竟每一種材料的研發(fā)都需要無數次的試錯才能找到真正合適的材料，華科成為其中成功合成室溫超導材料LK--99晶體也就在情理之中。
在先進芯片材料方面，中國其實已取得了許多突破，中國研發(fā)的氮化鎵、碳化硅等第三代芯片材料就居于全球前列，正是獲益于中國在第三代芯片材料方面的進展，中國在汽車芯片、快充技術等方面都居于全球前列，這也印證了中國更可能在先進材料方面取得突破。
中國成功合成先進的室溫超導材料將是中國在材料研發(fā)方面的重大突破，室溫超導材料的研發(fā)將讓所有芯片都可以實現微型化，芯片的功耗更低將真正實現無需散熱風扇的高性能PC，性能也由此得到極速提升，業(yè)界都清楚CPU的耗電中其實用于計算的電力占比較小，有很大部分浪費在發(fā)熱中，而發(fā)熱也阻止了硅基芯片進一步提升性能，室溫超導將解決這一問題，甚至當前國產化的28納米工藝也能生產出遠超5納米工藝的芯片，打破美國的限制。
室溫超導材料的推出還將進一步加強中國已取得突破的新能源汽車，有了室溫超導技術，那么幾秒鐘充滿電將不在話下，可以說室溫超導材料的突破，將進一步增強中國制造在諸多行業(yè)的實力。
中國科技行業(yè)近幾年取得了許多讓人驚喜的進步，美國妄圖利用它所取得的技術優(yōu)勢在諸多行業(yè)阻礙中國科技的發(fā)展，然而中國諸多行業(yè)的努力正逐步形成一個體系，最終全面打破美國的技術體系，美國的圖謀必將破滅，而中國科技將迎來輝煌。
