中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)探索之初，我們只是一窮二白，但是，經(jīng)過(guò)了幾代人的不懈努力，我們已經(jīng)建立起了初具規(guī)模的技術(shù)體系和逐步增強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)實(shí)力。
近日，麻省理工研究團(tuán)隊(duì)宣布，當(dāng)前設(shè)計(jì)一款實(shí)用性非常強(qiáng)的硅基LED，它將采用正偏方法，相較于其他的硅基LED亮度提升10倍。本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同時(shí)將LED中PN結(jié)的組合方式進(jìn)行改變，成功將硅材料的光電能量轉(zhuǎn)換效率提高，進(jìn)一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。
9月23—25日，記者在廣州舉辦的“2021中國(guó)電子材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展大會(huì)”上獲悉，隨著5G基站、手機(jī)快充以及新能源電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體器件的功率、效率、散熱以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正得到廣泛應(yīng)用，并加速進(jìn)入黃金發(fā)展期。
當(dāng)前，新一輪科技革命深入演進(jìn)，數(shù)字時(shí)代撲面而來(lái)，全球主要國(guó)家在數(shù)字經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域展開激烈角逐。關(guān)鍵數(shù)字技術(shù)創(chuàng)新，中國(guó)已經(jīng)取得了哪些優(yōu)勢(shì)？在當(dāng)前國(guó)際環(huán)境下，面臨哪些難題要“啃”？
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對(duì)新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進(jìn)入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國(guó)內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來(lái)看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料，將一路向?qū)挘€是一路向窄？
關(guān)注微信公眾號(hào)，了解最新精彩內(nèi)容
全國(guó)熱線
企業(yè)郵箱
企業(yè)地址
微信二維碼
微博二維碼
