CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。
MH50N50采用先進(jìn)的高壓平面MOSFET工藝制造，能在AC-DC應(yīng)用中提供高水平的性能和魯棒性，抗沖擊能力強(qiáng)，易過(guò)EMC等測(cè)試。可以快速應(yīng)用到新的和現(xiàn)有的離線電源設(shè)計(jì)中，特別適用于舞臺(tái)燈光電源等電路。
在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）作為集成電路核心控制器件之一，由于其低功耗、優(yōu)越的響應(yīng)速度，廣泛應(yīng)用于應(yīng)急電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。
全國(guó)熱線
企業(yè)郵箱
企業(yè)地址
微信二維碼
微博二維碼
