CMSC3812是采用Cmos先進溝槽工藝開發(fā)的一款雙N溝道低壓增強型場效應(yīng)管,具有30V漏源電壓（VDS）,常溫條件下20A漏極電流（ID）,具備能瞬間抵抗高達80A的高脈沖電流沖擊性。
CMD65P02是采用Cmos先進溝槽工藝開發(fā)的一款P溝道低壓增強型場效應(yīng)管,具有-20V漏源電壓（VDS）和-65A漏極電流（ID）（常溫條件）,具有抵抗高達-260A的脈沖電流的高性能抗沖擊性。
CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
CMB044N10BMOS管是一款采用柵極分割改進型溝槽工藝設(shè)計的大功率FET，屬于低電壓大電流MOS，具有卓越的性能和廣闊的應(yīng)用市場。
CMP006N12是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有優(yōu)秀的RDS（ON）和低柵極電荷QG。它可以用于多種電路應(yīng)用中，如同步整流、逆變器、電機驅(qū)動等。
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